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 　　碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實(shí)驗時(shí)，在實(shí)驗室偶然發(fā)現的一種碳化物，當時(shí)誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來(lái)了工業(yè)冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說(shuō)的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。
　　碳化硅的發(fā)展歷史：
　　1905年 初次在隕石中發(fā)現碳化硅。
　　1907年 首只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生。
　　1955年 理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長(cháng)高品質(zhì)碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。
　　1958年 在波士頓召開(kāi)初次世界碳化硅會(huì )議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。
　　1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(cháng)方法。
　　1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線(xiàn)，供應商開(kāi)始提供商品化的碳化硅基。