国产成人欧美一区二区三区,免费A级毛片18禁网站免费,欧美在线 | 欧美+日韩,久久精品国产亚洲av四虎

　　碳化硅的帶隙是硅（寬帶隙）的2.8倍，達到3.09電子伏特，其絕緣擊穿場(chǎng)強為硅的5.3倍，達到3.2MV/cm，導熱系數是硅的3.3倍，4W/cm。肖特基二極管和MOS場(chǎng)EF。碳化硅制成的FECT晶體管的厚度比同一耐壓硅器件大一個(gè)數量級，硅的雜質(zhì)濃度可以達到2個(gè)數量級，因此碳化硅器件的單位面積阻抗僅為T(mén)HA的100。
　　硅器件的漂移電阻幾乎等于器件的總電阻，因此碳化硅器件的發(fā)熱值很低，這有助于降低傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗，其工作頻率通常比硅高10倍。此外，碳化硅半導體具有固有的強抗輻射性。
　　近年來(lái)，采用碳化硅材料制備的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）可以通過(guò)使用小型注射技術(shù)將普通硅器件中的IGBT降低到1／10，并結合碳化硅器件的小熱值來(lái)實(shí)現其導熱性。碳化硅器件的優(yōu)良性能，碳化硅功率器件在400℃的高溫下也能正常工作，通過(guò)小體積器件可以控制大電流，工作電壓也更高。